2026年中俄蒙白先进科学与技术国际会议暨中俄蒙半导体微结构及高分辨光谱前沿分论坛

报告题目：半导体微结构中的电子流体动力学（Electron Hydrodynamics in Semiconductor Microstructures）

主讲人：阿图尔·波戈索夫（Artur Pogosov）

工作单位：俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所

报告时间：2026年5月19日13：50-14：20

报告地点：实验楼216会议室

报告人简介：阿图尔·波戈索夫教授，新西伯利亚国立大学普通物理系主任，担任多个科研项目负责人，项目获俄罗斯科学基金会（RSF）、俄罗斯基础研究基金会（RFBR）、国际科技合作协会（INTAS）、俄罗斯科学院纳米技术与信息技术分部（DNIT RAS）资助；担任俄罗斯科学院主席团“纳米结构和纳米材料基础技术”项目首席研究员。

报告摘要：在超高纯度二维电子气系统中，当电子-电子碰撞的散射率显著超过电子-杂质散射与电子-声子散射时，电子间的相互作用将占据主导地位，从而诱导电子气呈现集体性的类流体动力学行为。在该区域中，二维电子气实质上表现出粘性流体的特征，进而产生诸如粘滞效应、泊肃叶流、涡旋结构乃至湍流等一系列标志性流体动力学现象。本报告系统阐述了我们近期在高迁移率GaAs异质结中开展的有关电子流体力学实验的研究进展。具体而言，我们将讨论通过输运测量手段观测到的电子涡旋实验证据，展示固态体系中模拟特斯拉阀行为的类比结构，并首次报告电子湍流现象的实验特征。

欢迎各位老师同学届时参加。