2026年中俄蒙白先进科学与技术国际会议暨中俄蒙半导体微结构及高分辨光谱前沿分论坛

报告题目：二维电子气中的巨大舒勃尼科夫-德哈斯振荡（Giant Shubnikov-de Haas Oscillations in Two-Dimensional Electron Gas）

主讲人：叶夫根尼·日丹诺夫（Evgeny Zhdanov）

工作单位：俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所

报告时间：2026年5月19日15：30-16:00

报告地点：实验楼216会议室

报告人简介：叶夫根尼·日丹诺夫，俄罗斯科学院西伯利亚分院日丹诺夫半导体物理研究所（新西伯利亚）初级研究员，担任多个科研项目负责人，研究项目获俄罗斯科学基金会、俄罗斯基础研究基金会资助。

报告摘要：在半导体内，电子的量子行为关键取决于材料的原子级纯度。高品质GaAs/AlGaAs异质结中的二维电子气具有极高的纯度，电子平均自由程超过数十微米，从而可揭示常规样品中无法观测的物理现象。我们报道了在超高迁移率（μ = 2×10⁶ cm²/V·s）GaAs/AlGaAs异质结上制备的微米霍尔条（6×2 μm²）在2–15 K温度下的输运测量。在中等磁场（0.3–3.5 T）范围内，纵向电阻呈现巨型的舒布尼科夫-德哈斯振荡，其形状异常：极大值圆润，极小值呈尖锐V形并精确降至零电阻——但未形成量子霍尔效应典型的平台。该行为直接表明局域电子态密度极低，反映了材料的优异结构质量。进一步地，我们发展了一个唯象模型为定量描述这些现象。

欢迎各位老师同学届时参加。